FP75R12KT4 - Infineon España ventas

Marca	Infineon
Producto	FP75R12KT4
Descripción	Módulo de silicio IGBT
Código interno	4672783
Especificación técnica	Configuración: trifásica Tensión máxima del colector y emisor VCEO: 1200 V Voltaje de saturación del colector-emisor: 2.25 V Corriente de colector continua a 25 C: 150 A Corriente de fuga de compuerta y emisor: 100 nA Pd - Disipación de potencia: 385 W

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